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以下是我們上傳的XRNT1-24/200A高壓限流熔斷器視頻，視頻介紹比圖文介紹更直觀一些，您可以點(diǎn)擊觀看。
以下是:福建寧德XRNT1-24/200A高壓限流熔斷器的圖文介紹
樊高電氣銷售部(寧德市分公司)始建于2018年，廠家現(xiàn)位于福建寧德工業(yè)園區(qū)，廠家技術(shù)力量雄厚，生產(chǎn)檢測(cè)設(shè)備先進(jìn)，人力資源充沛，管理方法科學(xué)，【穿墻套管】產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定可靠，售后服務(wù)完善，是一家集科研、開(kāi)發(fā)、銷售、服務(wù)為一體的大型綜合性【穿墻套管】企業(yè)。
跌落式熔斷器 [1] 是10kV配電線路分支線和配電變壓器常用的一種短路保護(hù)開(kāi)關(guān)，它具有經(jīng)濟(jì)、操作方便、適應(yīng)戶外環(huán)境性強(qiáng)等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于10kV配電線路和配電變壓器一次側(cè)作為保護(hù)和進(jìn)行設(shè)備投、切操作之用。
熔絲管兩端的動(dòng)觸頭依靠熔絲(熔體)系緊，將上動(dòng)觸頭推入"鴨嘴"凸出部
跌落式熔斷器
分后，磷銅片等制成的上靜觸頭頂著上動(dòng)觸頭，故而熔絲管牢固地卡在"鴨嘴"里。當(dāng)短路電流通過(guò)熔絲熔斷時(shí)，產(chǎn)生電弧，熔絲管內(nèi)襯的鋼紙管在電弧作用下產(chǎn)生大量的氣體因熔絲管上端被封死，氣體向下端噴出，吹滅電弧。由于熔絲熔斷，熔絲管的上下動(dòng)觸頭失去熔絲的系緊力，在熔絲管自身重力和上、下靜觸頭彈簧片的作用下，熔絲管迅速跌落，使電路斷開(kāi)，切除故障段線路或者故障設(shè)備。 在現(xiàn)實(shí)的10kV線路系統(tǒng)中和配電變壓器上的熔斷器不能正確動(dòng)作，其原因之一是，電工素質(zhì)差，責(zé)任心不強(qiáng)，常年不進(jìn)行跌落式熔斷器的維護(hù)和檢修；原因之二是，跌落式熔斷器的產(chǎn)品質(zhì)量低劣，不能靈活的拉、合操作。兩原因降低了跌落式熔斷器的功能。現(xiàn)實(shí)中經(jīng)常出現(xiàn)缺熔管、缺熔體或用銅絲、鋁絲甚至于鐵絲勾掛代替熔體的情況。使得線路的跳閘率和配電變壓器的故障率居高不下。
由于MAX810L的復(fù)位門(mén)檻電平為4.65V，因此其RESET端輸出為
高電平，迫使Q1關(guān)斷，從而使負(fù)載與輸入電源斷開(kāi)。MAX668通過(guò)外部反饋電阻網(wǎng)絡(luò)設(shè)定5V輸出電壓。當(dāng)輸出電壓超MAX810L的復(fù)位門(mén)檻電平時(shí)，其內(nèi)部單穩(wěn)電路開(kāi)始工作并延時(shí)約240ms。之后，MAX810L的輸出變低，使Q1導(dǎo)通。Q1導(dǎo)通之后，MAX810L一直監(jiān)測(cè)輸出電壓以確定輸出是否過(guò)流。過(guò)載將會(huì)導(dǎo)致輸出電壓下降，當(dāng)它低于MAX810L門(mén)檻電平時(shí)，MAX810L的輸出經(jīng)過(guò)20μs的延遲后由高變低
，從而關(guān)斷Q1并使負(fù)載斷開(kāi)。由于MAX668的升壓作用，MAX810電源端電壓又會(huì)高于其門(mén)檻電平，240ms的復(fù)位延遲時(shí)間后，MAX810L輸出再次由高變低，開(kāi)通Q1并自動(dòng)再次連通負(fù)載。上述過(guò)程會(huì)一直周期性重復(fù)下去，除非移去多余負(fù)載或?qū)AX668關(guān)閉使其停止工作。因此MAX810L和開(kāi)關(guān)Q1一起構(gòu)成了一個(gè)固態(tài)開(kāi)關(guān)（電子保險(xiǎn)絲）。保險(xiǎn)絲保險(xiǎn)絲MAX810L（功耗器件）具有非平衡推挽輸出級(jí)。當(dāng)對(duì)外
輸出電流時(shí)，它等效于一個(gè)6kΩ電阻；當(dāng)從外汲取電流時(shí)，它等效于一個(gè)125Ω的電阻。當(dāng)導(dǎo)通或關(guān)斷Q1時(shí)，由于MAX810L的電阻阻止了Q1的密勒電容和柵源電容快速充放電，因此使開(kāi)關(guān)瞬態(tài)過(guò)程得以減慢。假定Q1總的等效電容為5000pF時(shí)，則MAX810汲取電流時(shí)（等效于125Ω電阻）大電流三極管的RC電路的時(shí)間常數(shù)約為0.6μs。整個(gè)導(dǎo)通過(guò)程電壓瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間大約為10RC=6μs。完全關(guān)斷同樣開(kāi)關(guān)Q1
的時(shí)間大約是完全導(dǎo)通時(shí)間的48倍。當(dāng)外部負(fù)載或C2在啟動(dòng)瞬間要汲取較大電流時(shí)，快速導(dǎo)通Q1可能使MAX810輸入電壓低于其復(fù)位門(mén)檻電壓從而導(dǎo)致復(fù)位出現(xiàn)，因此在圖2基礎(chǔ)上再增加一RC網(wǎng)絡(luò)以減緩其開(kāi)通過(guò)程，合適地選擇R、C可使負(fù)載連接過(guò)程延續(xù)到幾個(gè)MAX668開(kāi)關(guān)工作周期，使MAX668的輸出電壓一直高于MAX810的復(fù)位門(mén)檻電壓。假如R、C使Q1的導(dǎo)通時(shí)間延長(zhǎng)，同時(shí)也延長(zhǎng)了關(guān)斷時(shí)間。因此需要在電阻上
并聯(lián)一肖特基二極管，以加速當(dāng)負(fù)載過(guò)載時(shí)關(guān)閉Q1的進(jìn)程。為了獲得增強(qiáng)型通道及較低的導(dǎo)通電阻，上述電路均需要采用邏輯電平控制的P溝道MOSFET，如果Q1的導(dǎo)通電阻值較大且在其兩端產(chǎn)生較大的壓降（特別是低輸出電壓應(yīng)用場(chǎng)合或負(fù)載離電源的距離較遠(yuǎn)時(shí)），則應(yīng)該從Q1漏極端反饋電壓調(diào)節(jié)輸出。設(shè)計(jì)電路時(shí)，必須小化寄生參數(shù)同時(shí)仔細(xì)考慮電路布局。利用一個(gè)SOT23封裝的低電壓模擬開(kāi)關(guān)（MAX4544）可實(shí)現(xiàn)上述遠(yuǎn)
端調(diào)節(jié)，該開(kāi)關(guān)受控于MAX810L的輸出，
高電平，迫使Q1關(guān)斷，從而使負(fù)載與輸入電源斷開(kāi)。MAX668通過(guò)外部反饋電阻網(wǎng)絡(luò)設(shè)定5V輸出電壓。當(dāng)輸出電壓超MAX810L的復(fù)位門(mén)檻電平時(shí)，其內(nèi)部單穩(wěn)電路開(kāi)始工作并延時(shí)約240ms。之后，MAX810L的輸出變低，使Q1導(dǎo)通。Q1導(dǎo)通之后，MAX810L一直監(jiān)測(cè)輸出電壓以確定輸出是否過(guò)流。過(guò)載將會(huì)導(dǎo)致輸出電壓下降，當(dāng)它低于MAX810L門(mén)檻電平時(shí)，MAX810L的輸出經(jīng)過(guò)20μs的延遲后由高變低
，從而關(guān)斷Q1并使負(fù)載斷開(kāi)。由于MAX668的升壓作用，MAX810電源端電壓又會(huì)高于其門(mén)檻電平，240ms的復(fù)位延遲時(shí)間后，MAX810L輸出再次由高變低，開(kāi)通Q1并自動(dòng)再次連通負(fù)載。上述過(guò)程會(huì)一直周期性重復(fù)下去，除非移去多余負(fù)載或?qū)AX668關(guān)閉使其停止工作。因此MAX810L和開(kāi)關(guān)Q1一起構(gòu)成了一個(gè)固態(tài)開(kāi)關(guān)（電子保險(xiǎn)絲）。保險(xiǎn)絲保險(xiǎn)絲MAX810L（功耗器件）具有非平衡推挽輸出級(jí)。當(dāng)對(duì)外
輸出電流時(shí)，它等效于一個(gè)6kΩ電阻；當(dāng)從外汲取電流時(shí)，它等效于一個(gè)125Ω的電阻。當(dāng)導(dǎo)通或關(guān)斷Q1時(shí)，由于MAX810L的電阻阻止了Q1的密勒電容和柵源電容快速充放電，因此使開(kāi)關(guān)瞬態(tài)過(guò)程得以減慢。假定Q1總的等效電容為5000pF時(shí)，則MAX810汲取電流時(shí)（等效于125Ω電阻）大電流三極管的RC電路的時(shí)間常數(shù)約為0.6μs。整個(gè)導(dǎo)通過(guò)程電壓瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間大約為10RC=6μs。完全關(guān)斷同樣開(kāi)關(guān)Q1
的時(shí)間大約是完全導(dǎo)通時(shí)間的48倍。當(dāng)外部負(fù)載或C2在啟動(dòng)瞬間要汲取較大電流時(shí)，快速導(dǎo)通Q1可能使MAX810輸入電壓低于其復(fù)位門(mén)檻電壓從而導(dǎo)致復(fù)位出現(xiàn)，因此在圖2基礎(chǔ)上再增加一RC網(wǎng)絡(luò)以減緩其開(kāi)通過(guò)程，合適地選擇R、C可使負(fù)載連接過(guò)程延續(xù)到幾個(gè)MAX668開(kāi)關(guān)工作周期，使MAX668的輸出電壓一直高于MAX810的復(fù)位門(mén)檻電壓。假如R、C使Q1的導(dǎo)通時(shí)間延長(zhǎng)，同時(shí)也延長(zhǎng)了關(guān)斷時(shí)間。因此需要在電阻上
并聯(lián)一肖特基二極管，以加速當(dāng)負(fù)載過(guò)載時(shí)關(guān)閉Q1的進(jìn)程。為了獲得增強(qiáng)型通道及較低的導(dǎo)通電阻，上述電路均需要采用邏輯電平控制的P溝道MOSFET，如果Q1的導(dǎo)通電阻值較大且在其兩端產(chǎn)生較大的壓降（特別是低輸出電壓應(yīng)用場(chǎng)合或負(fù)載離電源的距離較遠(yuǎn)時(shí)），則應(yīng)該從Q1漏極端反饋電壓調(diào)節(jié)輸出。設(shè)計(jì)電路時(shí)，必須小化寄生參數(shù)同時(shí)仔細(xì)考慮電路布局。利用一個(gè)SOT23封裝的低電壓模擬開(kāi)關(guān)（MAX4544）可實(shí)現(xiàn)上述遠(yuǎn)
端調(diào)節(jié)，該開(kāi)關(guān)受控于MAX810L的輸出，
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