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眾鑫42crmo冷軋耐磨錳鋼板圓鋼金屬材料(貴港市分公司)是一家從事[關鍵詞銷售]的公司。公司庫存充足,可隨到隨提,規(guī)格齊全,價格合理,信譽度高。本公司自成立以來,一直秉持“誠信經(jīng)營,客戶為上,追求更好,精益求精”的發(fā)展理念,以始終如一的服務質(zhì)量和值得信賴的企業(yè)信譽,獲得國內(nèi)外客戶及合作伙伴的廣泛認可。憑借與國內(nèi)外各大鋼廠建立的良好信譽與戰(zhàn)略合作關系,我們?nèi)〉昧朔€(wěn)定的產(chǎn)品資源優(yōu)勢。同時,借助的運營體系和市場管理,力求為國內(nèi)外客戶提供快捷而優(yōu)質(zhì)的服務。



日益增長的節(jié)能環(huán)保要求正不斷推動著汽車輕量化進程,相較鎂鋁等輕質(zhì)材料,65錳冷軋鋼板汽車用鋼面臨著全流程綠色生產(chǎn)、高強高塑及優(yōu)良成形性等多方面的挑戰(zhàn)。

  以中錳鋼和淬火&配分(Q&P)鋼為典型代表的第三代先進高強鋼(AHSS)在汽車輕量化材料中具有良好的競爭力65錳鋼板。本論文主要從第三代AHSS的關鍵相——亞穩(wěn)態(tài)殘留奧氏體的設計出發(fā),結合中錳鋼的奧氏體逆轉(zhuǎn)變退火(ART)工藝及Q&P工藝,設計并制備了具有高殘留奧氏體含量的超高強含鋁中錳鋼,系統(tǒng)性探索殘留奧氏體含量、形態(tài)、尺寸及周圍基體相的分布與其相變誘導塑性(TRIP)效應的相互關系,實現(xiàn)低成本、簡工序的超高強(抗拉強度>1300MPa,強塑積>35GPa·%)含鋁中錳鋼的組織調(diào)控及強韌化機制研究。低成本無合金元素的“C-Si-Mn-Al”系成分設計及短工序低能耗的制備流程為汽車輕量化提供了優(yōu)質(zhì)的選材。

 采用0.3C-1.5Si-4Mn,wt.%為基本合金體系,利用梯度鋁含量(1\2\4,wt.%)調(diào)控中錳系鋼的臨界區(qū)溫度及工藝窗口,實現(xiàn)高65mn錳冷軋鋼板強度的基體組織設計,即“鐵素體+殘留奧氏體”的含鋁中錳TRIP鋼及“鐵素體+回火馬氏體+殘留奧氏體”的含鋁中錳淬火及回火配分(IQ-TP)鋼。采用掃描電鏡SEM、透射電鏡TEM、電子背散射衍射EBSD、X射線衍射儀XRD等顯組織形貌表征技術及相分析手段,結合原位變形技術系統(tǒng)性分析超高強含鋁中錳鋼的多元復合組織構成、應變協(xié)調(diào)性及強韌化機制;同時借助于電子探針EPMA分析宏觀元素偏析行為,利用Thermo calc\DICTRA熱力學動力學軟件及原子探針層析術(APT)等深層次揭示觀元素配分規(guī)律;合理調(diào)控臨界區(qū)奧氏體化溫度、加熱速率、65mn錳冷軋鋼板壓下率等工藝參數(shù),實現(xiàn)殘留奧氏體及其他基本相的 化配置,改善或中錳系鋼中的屈服平臺及PLC塑性失穩(wěn)現(xiàn)象。




目前,隨著第三代汽車用現(xiàn)金高強65錳鋼板的開發(fā),越來越多的高品質(zhì)中錳鋼出現(xiàn)。中錳鋼內(nèi)有大量亞穩(wěn)奧氏體組織,在變形過程中伴隨著相變的發(fā)生,能夠提高材料的強度和塑性。但目前科研人員大多聚焦在中錳鋼成分及組織調(diào)控方面,對于中錳鋼實際應用鮮有關注。本文基于原位掃描電鏡觀察,DIC光學實驗觀察,XRD檢測分析及不同應變量樣品的透射電鏡觀察分析研究了5Mn中錳鋼單軸拉伸過程中的變形機理,結合觀組織表征、力學性能測試和仿真分析,探索中錳鋼成形性能、強韌化機理及實際生產(chǎn)可行性。

  5Mn中錳鋼強塑積可達到30GPa.%以上,基體為鐵素體及奧氏體組織,可能存在冷軋及熱處理引入的少量板條馬氏體,其中奧氏體分為大晶粒和小晶粒兩種類型,大晶粒奧氏體穩(wěn)定性低于小晶粒奧氏體。單軸拉伸過程中,屈服階段奧氏體向馬氏體轉(zhuǎn)變的轉(zhuǎn)變量較少,因此呂德斯應變僅為1%左右(遠低于同類中錳鋼),屈服結束后較多大晶粒奧氏體發(fā)生相變,20%變形后大量小晶粒奧氏體發(fā)生相變。由于奧氏體晶粒較小,因此相變產(chǎn)生的可動位錯數(shù)量適中,產(chǎn)生連續(xù)傳播的A型PLC帶。部分大晶粒奧氏體在變形過程中出現(xiàn)層錯,其相變過程為奧氏體—ε馬氏體—α’-馬氏體。本文通過埃里克森杯突實驗,擴孔實驗及成形極限實驗研究了5Mn中錳鋼的成形性能。65mn錳冷軋鋼板鋼擁有良好的杯突性能,在光潔區(qū)域杯突值可達到12mm以上。實驗采用激光切割,線切割及沖孔三種預制孔加工工藝研究制孔工藝對擴孔性能的影響,結果顯示線切割制孔樣擴孔性能 ,激光切割制孔樣擴孔性能為穩(wěn)定,沖孔樣由于沖孔過程中局部材料存在相變及加工硬化,因此擴孔性能




相應的研究結果分別如下:相圖計算及膨脹儀熱模擬結果表明,65mn錳冷軋鋼板Al元素有效拓寬了臨界區(qū)溫度工藝窗口;DICTRA軟件對具有相同平衡態(tài)兩相比例臨界區(qū)奧氏體化過程的元素配分模擬顯示Al元素的添加顯著了合金元素(尤其是有利于錳鋁等置換元素)的擴散效率,有助于殘留奧氏體中碳錳元素的富集與穩(wěn)定;高鋁添加導致δ鐵素體存留至室溫,降低了含鋁中錳TRIP鋼抗拉強度的同時了PLC現(xiàn)象;原位拉伸SEM中δ鐵素體內(nèi)大量交錯的位錯滑移帶證明了其良好的應變協(xié)調(diào)性。

   臨界區(qū)奧氏體化溫度通過調(diào)控臨界區(qū)奧氏體比例實現(xiàn)含鋁中錳鋼的多元強度級別設計。相較含鋁中錳TRIP鋼而言,以回火馬氏體組織為主要基體“骨架”的含鋁中錳IQ-TP鋼展現(xiàn)出更高的屈服強度;XRD和APT檢測到殘留奧氏體內(nèi)的碳錳元素富集、相界面處錳鋁元素的偏聚等現(xiàn)象證明了回火配分階段合金元素的局部平衡(LE)。65錳冷軋鋼板IQ--TP工藝下臨界區(qū)奧氏體化及回火過程兩階段的元素配分促進了殘留奧氏體碳錳元素的富集,同時回火馬氏體組織切割細化了殘留奧氏體晶粒進一步增加了其穩(wěn)定性,

  65錳鋼板因而含鋁中錳IQ-TP鋼表現(xiàn)出優(yōu)異的力學性能。以4Mn1Al鋼為例,其熱軋IQ-TP鋼,抗拉強度達1425±43MPa,同時延伸率25.9±3.8%,均明顯優(yōu)于含鋁中錳TRIP鋼抗拉強度1345MPa,延伸率18.9%的 力學性能。而4Mn2Al熱軋IQ-TP鋼抗拉強度達1319±39MPa,延伸率27.4±1.1%。膨脹儀組織熱模擬及EPMA成分分析證實了含鋁中錳TRIP鋼冷軋退火組織的異常長大現(xiàn)象受控于錳鋁元素偏析下關鍵溫度區(qū)間的加熱速率。富Al貧Mn區(qū)抑制了奧氏體的形核,慢加熱速率為形變馬氏體的再結晶行為及晶粒長大提供了充分的動力學條件。超細晶冷軋含鋁中錳TRIP鋼由于其較小的位錯運動平均自由程,具有明顯的屈服平臺。異常長大的鐵素體帶提供了應變初期較高的加工硬化率,有利于縮短材料的屈服平臺延伸率。而含鋁中錳IQ-TP鋼由于馬氏體組織及幾何必要位錯的存在呈現(xiàn)出連續(xù)屈服特征。含鋁中錳IQ-TP鋼的塑性主要源于軟相板條形態(tài)鐵素體的“潤滑劑”效應以及殘留奧氏體的持續(xù)性TRIP效應。



2)選取機械性能 的兩種材料65mn錳冷軋鋼板0Si退火10min試樣、0.6Si退火30min試樣),在1×10-4/s~1×10-1/s的應變速率下進行實驗,機械性能和斷裂行為的研究表明:隨著應變速率的增加,由于TRIP效應被抑制,0Si和0.6Si的抗拉強度和延伸率均大幅度降低,且0.6Si的延伸率降低的更快,比如:0Si的延伸率由44%下降至33%,0.6Si的延伸率由55%下降至35%。隨著應變速率的增加,0Si的斷面收縮率基本不變(約為70%),0.6Si的斷面收縮率大約由51%增加至72%。應變速率并未影響0Si和0.6Si的斷裂行為。然而,隨著應變速率的降低,表面裂紋的形核數(shù)量增加,擴展速率降低;斷口的韌窩尺寸降低,二次裂紋數(shù)量和尺寸增加。

(3)選取四種材料(0Si和0.6Si均退火3min和30min試樣),65錳鋼板系統(tǒng)的研究了成分和退火時間對氫脆性能和氫致斷裂行為的影響。關于退火時間:隨著退火時間的增加,0Si和0.6Si的氫脆敏感性均呈現(xiàn)上升趨勢,比如:當退火3min時,0Si/0.6Si的塑性損失和強度損失分別為13.5%/46.7%和0.0%/1.7%;當退火30min時,0Si/0.6Si的塑性損失和強度損失分別為79.2%/76.5%和26.8%/6.3%。關于成分:退火3min時,0Si的氫脆敏感性較低;退火30min時,0.6Si的氫脆敏感性較低。相比空拉斷裂行為而言,氫原子促進裂紋更容易形核與擴展,進而導致材料提前斷裂。對于0Si:裂紋形核與氫原子無關,但是,氫致裂紋呈沿晶和穿晶擴展。對于0.6Si:裂紋形核與擴展與氫原子無關,斷口則由細小的韌窩變?yōu)榇嘈詼式饫怼?

5)在不劣化市售馬氏體材料(S0)65mn錳冷軋鋼板機械性能的基礎上,二次回火不同時間(30min,60min,120min),試樣分別記為 S30、S60 和 S120,發(fā)現(xiàn),二次回火工藝可以有效地提高其抗氫脆性能,如下:S0和S60的塑性損失和強度損失分別為100.0%/79.3%和35.9%/1.7%。二次回火試樣抗氫脆性能高的原因如下:1、不可逆氫陷阱MoyCx析出物的長大;2、滲碳體/基體界面的增加;滲碳體/基體應變界面具有較高的陷阱能;3、位錯密度的降低。




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